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常見問題
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場效應管:
  “場效應”的含義是這種晶體管的工作原理是基于半導體的電場效應的。場效應晶體管(field effect transistor)利用場效應原理工作的晶體管,英文簡稱FET。場效應晶體管又包含兩種主要類型:結型場效應管(Junction FET,縮寫為JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管(Metal-Oxide Semiconductor FET南国彩票论坛华南社,縮寫為MOS-FET)。與BJT不同的是南国彩票论坛华南社,FET只由一種載流子(多數載流子)參與導電,因此也稱為單極型晶體管南国彩票论坛华南社。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動態范圍大南国彩票论坛华南社、易于集成南国彩票论坛华南社、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點南国彩票论坛华南社。
場效應管晶體管
靜電感應:
  靜電感應晶體管SIT(Static Induction Transistor)誕生于1970年,實際上是一種結型場效應晶體管。將用于信息處理的小功率SIT器件的橫向導電結構改為垂直導電結構,即可制成大功率的SIT器件。SIT是一種多子導電的器MOSFET相當南国彩票论坛华南社,甚至超過電力MOSFET,而功率容量也比電力MOSFET大南国彩票论坛华南社,因而適用于高頻大功率場合南国彩票论坛华南社,目前已在雷達通信設備、超聲波功率放大、脈沖功率放大和高頻感應加熱等某些專業領域獲得了較多的應用。
單電子晶體管:
  用一個或者少量電子就能記錄信號的晶體管。隨著半導體刻蝕技術和工藝的發展南国彩票论坛华南社,大規模集成電路的集成度越來越高南国彩票论坛华南社。以動態隨機存儲器(DRAM)為例南国彩票论坛华南社,它的集成度差不多以每兩年增加四倍的速度發展,預計單電子晶體管將是最終的目標。目前一般的存儲器每個存儲元包含了20萬個電子,而單電子晶體管每個存儲元只包含了一個或少量電子南国彩票论坛华南社,因此它將大大降低功耗,提高集成電路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在實驗上發現了庫侖阻塞現象。
 
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