南国彩票论坛华南社

大功率mos,高壓mos,低壓mos半導體廠家廣東瑞森半導體科技有限公司歡迎您!
當前位置:主頁 > 新聞資訊 > 行業新聞 >
行業新聞

終于解開器件發熱導致的MOS管損壞之謎了

作者:未知 發布日期:2019-12-18

MOS 管作為半導體領域最基礎的器件之一,無論是在 IC 設計里,還是板級電路應用上,都十分廣泛,尤其在大功率半導體領域。然而大功率逆變器MOS管,工作的時候,發熱量非常大,如果MOS管散熱效果不好,溫度過高就可能導致MOS管的燒毀,進而可能導致整個電路板的損毀。

MOS管發熱原因

由超出安全區域引起發熱而導致的。發熱的原因分為直流功率和瞬態功率兩種。

直流功率原因:外加直流功率而導致的損耗引起的發熱

導通電阻RDS(on)損耗(高溫時RDS(on)增大,導致一定電流下,功耗增加)由漏電流IDSS引起的損耗(和其他損耗相比極小)瞬態功率原因:外加單觸發脈沖負載短路開關損耗(接通、斷開) *(與溫度和工作頻率是相關的)內置二極管的trr損耗(上下橋臂短路損耗)(與溫度和工作頻率是相關的)器件正常運行時不發生的負載短路等引起的過電流,造成瞬時局部發熱而導致破壞。另外,由于熱量不相配或開關頻率太高使芯片不能正常散熱時,持續的發熱使溫度超出溝道溫度導致熱擊穿的破壞。

許多mos管具有結溫過高保護,所謂結溫就是金屬氧化膜下面的溝道區域溫度,一般是150攝氏度。超過此溫度,mos管不可能導通。溫度下降就恢復。

避免MOS因為器件發熱而造成的損壞,需要做好足夠的散熱設計。若通過增加散熱器和電路板的長度來供所有MOS管散熱,這樣就會增加機箱的體積,同時這種散熱結構,風量發散,散熱效果不好。有些大功率逆變器MOS管會安裝通風紙來散熱,但安裝很麻煩。 所以MOS管對散熱的要求很高,散熱條件分為最低和最高,即在運行中的散熱情況的上下浮動范圍。一般在選購的時候通常采用最差的散熱條件為標準,這樣在使用的時候就可以留出最大的安全余量,即使在高溫中也能確保系統的正常運行。

做好MOS管的熱設計,需要足夠的散熱片以及導熱絕緣硅膠墊片才能實現。mos散熱片是一種給電器中的易發熱電子元件散熱的裝置,多由鋁合金,黃銅或青銅做成板狀,片狀,多片狀等,如電腦中CPU中央處理器要使用相當大的散熱片,電視機中電源管,行管,功放器中的功放管都要使用散熱片

通常采用散熱片加導熱絕緣硅膠的設計直接接觸散熱,如果MOS管外殼不能接地,可以采用絕緣墊片隔離后再用導熱硅脂散熱。也可以選用硅膠片覆蓋MOS管,除了散熱還可以起到防止電損的作用。整個散熱體系能使元器件發出的熱量更有效地傳導到散熱片上,再經散熱片散發到周圍空氣中去,使得器件的穩定性得到保障。
<th id="ndtfh"></th>

<pre id="ndtfh"><nobr id="ndtfh"></nobr></pre>

  • <object id="ndtfh"></object>
    <object id="ndtfh"></object>
  • 南国彩票论坛华南社 吉利彩票登录 360彩票开奖 小米彩票app下载安装 九洲彩票地址 华彩彩票官网app下载 博猫彩票输了好多 智胜彩票软件手机版 胜利彩票注册 m5彩票平台 大地彩票app客户端 凤彩网app 南国彩票论坛华南社